Des chercheurs de l'Université de Hong Kong ont développé une plateforme neuromorphique cryogénique programmable basée sur des transistors en carbure de silicium. Il simule l'activité impulsionnelle des neurones à des températures allant jusqu'à 10 mK.
Le développement est basé sur une résistance différentielle négative contrôlée dans les transistors SiC MOSFET. L'effet se produit lorsqu'il est refroidi en dessous de 2 K et permet la création de circuits neuromorphiques économes en énergie, comprenant des neurones sensoriels, logiques et d'intégration.
Les auteurs considèrent la plate-forme comme un moyen de réduire la chaleur et le câblage dans les systèmes de contrôle cryogéniques des qubits. Les applications possibles incluent la correction d’erreurs quantiques, le contrôle des qubits en temps réel et l’électronique spatiale.
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